个人简历
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
功率器件
集成电路
工作简历
2011-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员
专利成果
（ 1 ） 基于metal/insulator/algan/gan叠层mis结构的负微分电阻器件及制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: cn201510072456.3
（ 2 ） 基于氟化石墨烯钝化的algan/gan hemt器件及制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: cn201510772384.3
（ 3 ） 基于氟化石墨烯钝化的algan/gan hemt 器件, 2016, 第 1 作者, 专利号: pct/cn2016/075635
科研项目
（ 1 ） ⅲ-ⅴ族半导体衬底上铪基高k栅介质界面特性研究, 主持, 国家级, 2012-01--2015-12
（ 2 ） 预先研究项目（61501050301d）, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
（ 3 ） 8 位mcu、can、lin 设计开发（2012zx02503003）, 主持, 国家级, 2012-01--2016-07
（ 4 ） 新能源汽车用sic功率器件关键技术研发, 主持, 省级, 2015-07--2017-06
（ 5 ） 车用igbt栅驱动芯片设计, 参与, 国家级, 2016-01--2020-12
（ 6 ） 高纯sic衬底制备与离子束剥离研究, 参与, 省级, 2017-07--2020-06
（ 7 ） sic mosfet 栅极驱动芯片研发, 主持, 省级, 2018-07--2020-06
（ 8 ） 高真空快速自匹配peald设备研制, 主持, 部委级, 2020-01--2021-12
（ 9 ） 4-6英寸sic晶圆上sic mosfets 制造技术开发, 主持, 部委级, 2020-01--2021-12研究领域
""近期论文
（1） a self-adaptive measurement system for igbt collector current using package parasitics, ieee transactions on industrial electronics, 2020, 通讯作者
（2） ieee transactions on power electronics, an indirect igbt over-current detection technique via gate voltage monitoring and analyzing, 2019, 通讯作者
（3） negative differential resistance in the i-v curves of al2o3/algan/gan mis structures, rsc advances, 2016, 通讯作者
（4） reversible n-type doping of graphene by h2o-based atomic-layer deposition and its doping mechanism, journal of physical chemistry c, 2015, 通讯作者
（5） controlled direct growth of al2o3-doped hfo2 films on graphene by h2o-based atomic layer deposition, phys. chem. chem. phys, 2015, 通讯作者
（6） passivation effect of graphene on algan/gan schottky diode, rsc adv., 2015, 通讯作者
（7） 水基ald方法在石墨烯上生长al2o3, mprovement of al2o3 films on graphene grown by atomic layer deposition with pre-h2o treatment, acs appl. mater. interfaces, 2014, 通讯作者
（8） on-resistance degradation induced by hot-carrier injection in soi sj-ldmos, ieee transaction on electron devices, 2013, 通讯作者
（9） inp 衬底上al2o3/nbalo/al2o3 栅介质生长, sandwich gate dielectric film on inp, applied physics letters, 2010, 第 1 作者
（10） ti盖帽层保护退火的hfal2o5栅介质特性研究, interfacial structures and electrical properties of gate dielectric film annealed with a ti capping layer, applied physics letters, 2007, 第 1 作者
（11） si0.8ge0.2 衬底上ebv方法制备的hfxsiyo薄膜特性研究, characteristics of hfxsiyo films grown on layer by electron beam evaporation, applied physics letters, 2006, 第 1 作者
