个人简历
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
微电子技术
奖励信息
（1） 八面体基元理论指导发现新型相变材料与其在128mb存储芯片中应用, 一等奖, 其他, 2019
专利成果
（ 1 ） 一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构, 2016, 第 2 作者, 专利号: cn201610140946.7
（ 2 ） 相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: cn2016101785963
（ 3 ） 一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: cn201610118179x
（ 4 ） 一种具有保持力测试功能的相变存储器, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610349687.9
（ 5 ） 电压电流测试 自动切换电路、相变单元测试系统及方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: cn201710749389.3
（ 6 ） 一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: cn107886993a
（ 7 ） 一种用于相变存储单元电流测试的set退火优化电路及方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: cn107068198
（ 8 ） 一种阶梯脉冲的确认方法、装置、电子设备和存储介质, 2019, 第 2 作者, 专利号: cn201910699840.4
（ 9 ） 一种数据的多级存储方法、系统、电子设备及存储介质, 2019, 第 2 作者, 专利号: cn201911178667.x
（ 10 ） 相变储存器控制装置、相变储存器控制方法、电子装置及存储介质, 2019, 第 1 作者, 专利号: cn201910196702.4
（ 11 ） 一种阶梯脉冲确定方法、系统及存储介质, 2019, 第 3 作者, 专利号: cn201910743318.1
科研项目
（ 1 ） 复合载荷下相变存储器保持力特性及其机理研究, 主持, 国家级, 2019-01--2022-12研究领域
""近期论文
（1） endurance improvement of phase change memory based on high and narrow reset, ecs journal of solid state science and technology, 2020, 第 2 作者
（2） reliability modelling and prediction method for phase change memory using optimal pulse conditions, journal of shanghai jiao tong university (science), 2020, 第 2 作者
（3） an optimized fast stair-case set pulse with variable width for phase change random access memory, ecs journal of solid state science and technology, 2020, 第 3 作者
（4） microscopic mechanism of carbon-dopant manipulating device performance in cgesbte-based phase change random access memory, acs applied materials & interfaces, 2020, 第 2 作者
（5） reset current optimization for phase change memory based on the sub-threshold slope, materials science in semiconductor processing, 2019, 第 3 作者
（6） the impact of the electrode performance on the endurance properties of the phase change memory, ieee transactions on device and materials reliability, 2019, 第 2 作者
（7） three-dimensional simulations of reset operation in phase-change random access memory with blade-type like phase change layer by finite element modeling, materials science in semiconductor processing, 2019, 第 3 作者
（8） high performance of multilevel-cell phase change memory device with good endurance reliability, semiconductor science and technology, 2019, 第 3 作者
（9） investigation on the scaling performances of carbon doped ge2sb2te5 thin films for phase change random access memory in a 40 nm process, physica states solidi a-application and materials science, 2019, 第 2 作者
（10） analysis and optimization of read/write reliability for 12f2 cross-point ultra-fast phase change memory, semiconductor science and technology, 2019, 第 3 作者
（11） first set pulse impacts on set resistance distribution of phase change random access memory, ecs journal of solid state science and technology, 2019, 第 2 作者
（12） subsequent set pulse impacts on set resistance distribution of phase change memory, semiconductor science and technology, 2019, 第 2 作者
（13） a candidate for high-speed and high-density phase change memory application, materials science in semiconductor processing, 2019, 第 2 作者
（14） the influence of the bitline length on the resistance consistency in phase change memory array, ecs journal of solid state science and technology, 2018, 第 2 作者
（15） relaxation oscillations in ge2sb2te5-based phase change memory devices memory, chinese physics letters, 2016, 第 2 作者
（16） reduction of reset current in phase change memory by pre-programming, ecs journal of solid state science and technology, 2016, 第 2 作者
（17） endurance characteristics of phase change memory cells, journal of semiconductors, 2016, 第 2 作者
