个人简历
招生专业
080902-电路与系统
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
模拟集成电路设计
存储器集成电路设计
神经网络电路设计
教育背景
1993-09--2006-07 上海交通大学 研究生博士学位
1983-09--1990-07 西安交通大学 本科学士及研究生硕士学位
工作简历
2008-12~现在, 中科院上海微系统与信息技术研究所, 相变存储器芯片设计
2007-04~2008-11,芯致电子科技公司（hk）, 集成电路设计技术总监
2006-04~2007-04,华润矽威电子有限公司, 集成电路设计高级工程师
2002-04~2006-04,上海贝岭股份有限公司, 集成电路设计高级工程师
1996-08~2002-04,上海交通大学, vlsi研究所副所长
1993-09~2006-07,上海交通大学, 研究生博士学位
1983-09~1990-07,西安交通大学, 本科学士及研究生硕士学位
教授课程
相变存储器技术基础
奖励信息
（1） 八面体基元理论指导发现新型相变材料在128mb存储芯片中应用, 一等奖, 部委级, 2019
（2） 相变存储芯片制造核心技术及嵌入式应用, 二等奖, 省级, 2018
（3） 嵌入式相变存储器的新型存储材料与芯片制造技术, 三等奖, 部委级, 2017
专利成果
（ 1 ） 具有初始化功能的相变存储器写擦电路及其快速写擦方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201310674694.2
（ 2 ） 具有实时触发器状态保存功能的触发器电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201310290019.x
（ 3 ） 一种开关电源的过零检测电路, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2014101779997
（ 4 ） 一次性可编程存储器及其编程方法与读取方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2013107292487
（ 5 ） 具有掉电数据保持功能的触发器, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201110164882.1
（ 6 ） data readout circuit of phase change memory, 2015, 第 2 作者, 专利号: us8947924b2
（ 7 ） 相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201410115086.2
（ 8 ） 参考电阻优化的相变存储器读电路及参考电阻优选方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201410182102.x
（ 9 ） 一种spi 接口输出电路、相变存储器的读控制电路及方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201410077445x
（ 10 ） 一种电荷泵电路及其输出电压自动调节方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 2014101000475
（ 11 ） 一种相变存储的快速擦写操作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201210436990.4
（ 12 ） 一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710813137.2
（ 13 ） 开关电源电感的电流过零检测方法、电路及控制方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710532828.5
（ 14 ） 开关电源电感的电流过零检测电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201720792343.5
（ 15 ） 一种三维存储器读出电路及读出方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710092925.7 pct/cn2017/081816
（ 16 ） 三维非易失性存储器件及其制造方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710218226.2
（ 17 ） 三维垂直型存储器读出电路及读出方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710891378.9
（ 18 ） 三维垂直型存储器核心电路及位线与字线电压配置方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710889441.5
（ 19 ） read circuit of storage class memory, 2016, 第 2 作者, 专利号: pct/cn2016/096649
（ 20 ） 一种单绕组非隔离led恒流驱动系统及其驱动控制方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2016102599736
（ 21 ） 一种轻载降频模式控制系统, 2016, 第 2 作者, 专利号: 2016102312628
（ 22 ） 增强型堆叠式esd电路及混合电压输入输出接口电路, 2016, 第 2 作者, 专利号: 2016108463640
（ 23 ） 相变存储器读出电路及其数据读取方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201610744117x
（ 24 ） 一种相变存储器读出电路及读出方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 2016104866178
（ 25 ） 相变存储器的整体擦除装置, 2019, 第 2 作者, 专利号: zl201710041124.9
（ 26 ） 相变存储器读出电路及其数据读取方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: zl201610744117.x
（ 27 ） 三维非易失性存储器件及其制造方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: zl201710218226.2
（ 28 ） 一种三维存储器读出电路及读出方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: zl201710092925.7
（ 29 ） 一种轻载降频模式控制系统, 2019, 第 3 作者, 专利号: zl201610231262.8
（ 30 ） 一种应用于神经元的全数字仿生电路及系统, 2019, 第 1 作者, 专利号: cn201910986671.2
（ 31 ） 一种突触模块、突触阵列以及基于突触阵列的权重调节方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: cn201910806731.8
（ 32 ） 一种突触电路、突触阵列及基于突触电路的数据处理方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: cn201910806010.7
（ 33 ） 超低电压启动双路输出的dcdc转换电路及其实现方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: cn201910364378.2
（ 34 ） 相变存储器的多级存储读写方法及系统, 2019, 第 2 作者, 专利号: cn201910605311.3
科研项目
（ 1 ） 集成电路重大专项 (2009zx02023-003), 参与, 国家级, 2009-01--2018-12
（ 2 ） 高密度交叉阵列结构的新型存储器件与集成(2017yfa0206100), 参与, 国家级, 2017-07--2022-06
（ 3 ） 中国科学院战略性先导科技专项(xda09020402), 参与, 部委级, 2013-06--2018-09
（ 4 ） 分离态文档管理算法及存储方案的设计研究, 参与, 部委级, 2016-01--2017-12
（ 5 ） 基于pcram的mcu设计, 主持, 院级, 2015-03--2015-12
（ 6 ） ecc 纠错ip模块设计, 主持, 院级, 2017-04--2017-05
（ 7 ） 基于内存计算的bbu高层协议处理, 主持, 院级, 2019-11--2021-07研究领域
""近期论文
（1） design and security evaluation of pcm-based rpuf using cyclic refreshing strategy, ieice electronics express, 2018, 通讯作者
（2） a single-reference parasitic-matching sensing circuit for 3-d cross point pcm, ieee transactions on circuits and systems ii: express briefs, 2018, 通讯作者
（3） a changing-reference parasitic-matching sensing circuit for 3-d vertical rram, ieee transactions on very large scale integration (vlsi) systems, 2018, 通讯作者
（4） a novel zero current detector for single-inductor double-output dc-dc converter, 2018 ieee international conference on electron devices and solid state circuits (edssc), 2018, 第 3 作者
（5） 相变存储器预充电读出方法, 浙江大学学报(工学版), 2018, 第 2 作者
（6） 支持逻辑电路辅助计算的相变存储系统设计, 上海交通大学学报, 2018, 第 3 作者
（7） set/reset reference and parasitic matching scheme to speed up pcm read operation, electronics letters, 2017, 通讯作者
（8） enhanced read performance for phase change memory using a reference column, ieice electronics express, 2017, 通讯作者
（9） enhanced 3×vdd-tolerant esd clamp circuit with stacked configuration, ieice electronics express, 2017, 通讯作者
（10） a novel 3×vdd-tolerant esd detection circuit in advanced cmos process, ieice electronics express, 2017, 通讯作者
（11） feasibility study of current pulse induced 2-bit/4-state multilevel programming in phase-change memory, solid-state electronics, 2017, 第 3 作者
（12） 带轻载变频模式的升压式ｄｃ-ｄｃ转换器设计, 上海交通大学学报, 2017, 第 2 作者
（13） 基于相变单元测试的高速可编程脉冲电流源, 固体电子学研究与进展, 2017, 第 2 作者
（14） capacitor-less ldr based on flipped voltage follower with dual-feedback loops, ieice electronics express, 2017, 通讯作者
（15） a novel 3×vdd-tolerant esd detection circuit in advanced cmos process, ieice electronics express, 2017, 通讯作者
（16） 新型低漏电esd电源钳位电路, 微电子学, 2016, 第 2 作者
（17） set programming method and performance improvement of phase change random access memory arrays, chinese physical letters, 2015, 通讯作者
（18） a smart primary side current sensing strategy for single stage isolated pfc controller, icice electronics express, 2015, 通讯作者
（19） methods to speed up read operation in a 64mbit phase change memory chip, icice electronics express, 2015, 通讯作者
