个人简历
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体红外敏感材料制备方法和性能评价
雪崩器件模拟与性能测试
教育背景
2000-09--2005-07 中国科学院上海技术物理研究所 博士学位
工作简历
2000-09~2005-07,中国科学院上海技术物理研究所, 博士学位
1998-08~2011-07,中国科学院上海技术物理研究所, 课题组长
奖励信息
（1） 硅基碲镉汞红外焦平面成像器件技术, 一等奖, 省级, 2017
（2） 推扫成像型碲镉汞红外焦平面组件关键技术及其航天应用, 二等奖, 国家级, 2015
（3） 航天长波红外焦平面组件技术, 一等奖, 省级, 2013
（4） 航天红外焦平面技术研究集体, 一等奖, 部委级, 2013
（5） 碲镉汞2000元长线列红外焦平面, 二等奖, 省级, 2006
专利成果
（ 1 ） 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法 , 2005, 第 2 作者, 专利号: 200410053175.5
科研项目
（ 1 ） si基碲镉汞材料的缺陷抑制方法研究, 主持, 部委级, 2011-01--2012-12
（ 2 ） si基长波碲镉汞材料技术, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
（ 3 ） 线性雪崩焦平面研究, 主持, 国家级, 2016-01--2020-12
参与会议
（1）recent progress on hgcdte by mbe of sitp 2017-11-01
（2）recent progress on hgcdte/zncdte by mbe 2016-09-20
（3）e-apd hgcdt 分子束外延材料研究 2015年第11届全国分子束外延会议 2015-08-17
（4）hgcdte分子束外延材料研究进展及其应用 2013年第10届全国分子束外延会议 2013-08-20研究领域
""近期论文
（1） the performance of mid-wave infrared hgcdte e-avalanche photodiodes at sitp, spie proceedings volume 11170, 14th national conference on laser technology and optoelectronics (lto 2019); 111702m (2019), 2019, 通讯作者
（2） improved local field model for hgcdte e-apd, infrared physics & technology, 2019, 第 2 作者
（3） 碲镉汞apd平面型pin结构仿真设计研究, 红外毫米波学报, 2019, 通讯作者
（4） 面向hgcdte红外焦平面探测器应用的分子束外延材料研究, 中国科学：物理学力学天文学, 2014, 第 1 作者
（5） backside-illuminated infrared photoluminescence and photoreflectance : probe of vertical monuniformity of hgcdte on gaas, appl. phys. lett., 2010, 第 2 作者
（6） realization of photoreflectance spectroscopy in verey-long wave infrared of up to 20 μm, appl. phys. lett, 2009, 第 2 作者
（7） impurity activation in mbe-grown as-doped hgcdte by modulated photoluminescence spectra, chinese phys.lett, 2009, 第 2 作者
（8） mbe hgcdte on si and gaas substrates, journal of crystal growth, 2007, 第 2 作者
（9） mbe hgcdte: a challenge towards to the realization of third gen infrared fpas, chinese journal of semiconductors, 2006, 第 2 作者
（10） heteroepitaxy of cdte on tilting si(211) substrates by mbe, j. crystal growth, 2006, 第 2 作者
（11） mbe growth of si/cdte(211)b composite substrates, laser and infrared, 2005, 第 1 作者
（12） mbe growth of cdte(211)b composite substrates on silicon, j. infrared millim. waves, 2005, 第 1 作者
